描述 | MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 24 毫欧 @ 8.7A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 900mV @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1877pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7433PBFTRIRF7433TRPBF-NDIRF7433TRPBFTR-ND |
【International Rectifier】IRF7450,MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7450PBF,MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7450TR,MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7450TRPBF,MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7451,MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC