描述 | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 10 毫欧 @ 12A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2050pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7460PBFTRIRF7460TRPBF-NDIRF7460TRPBFTR-ND |
【International Rectifier】IRF7463PBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7463TR,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7463TRPBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7464,MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7464PBF,MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7464TR,MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7464TRPBF,MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC