| 宽度 | 4mm | 封装类型 | SOIC |
|---|---|---|---|
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | 引脚数目 | 8 |
| 最低工作温度 | -55 °C | 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V | 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大漏源电阻值 | 0.063 | 最大连续漏极电流 | 4.5 A |
| 最高工作温度 | +150 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
| 通道类型 | N | 配置 | 四漏极、单、三源 |
| 长度 | 5mm | 高度 | 1.5mm |
【International Rectifier】IRF7475PBF,MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7475TRPBF,MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7476PBF,MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7476TRPBF,MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7477PBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC