| 描述 | MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 150V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 44 毫欧 @ 3.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1750pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7494TR,MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7494TRPBF,MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7495PBF,MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7495TR,MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7495TRPBF,MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7501TR,MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8
【International Rectifier】IRF7501TRPBF,MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8