您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > irf7665s2tr1pbf
  • IRF7665S2TR1PBF

IRF7665S2TR1PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.479
  • 3000$1.408
  • 5000$1.359
  • 10000$1.314
描述MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SBFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C62 毫欧 @ 8.9A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 25?A
闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds515pF @ 25V
功率 - 最大2.4W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等距 SB供应商设备封装DIRECTFET SB
包装带卷 (TR)其它名称IRF7665S2TR1PBFTR

irf7665s2tr1pbf的相关型号: