描述 | MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 62 毫欧 @ 8.9A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 25?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 515pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.4W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等距 SB | 供应商设备封装 | DIRECTFET SB |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7665S2TR1PBFTR |
【International Rectifier】IRF7665S2TRPBF,MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
【International Rectifier】IRF7700,MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
【International Rectifier】IRF7700GTRPBF,MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
【International Rectifier】IRF7700TR,MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
【International Rectifier】IRF7700TRPBF,MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
【International Rectifier】IRF7701,MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
【International Rectifier】IRF7701GTRPBF,MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
【International Rectifier】IRF7701TR,MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP