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  • IRF7756GTRPBF

IRF7756GTRPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 4.3A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 10V
功率 - 最大1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)供应商设备封装8-TSSOP
包装带卷 (TR)其它名称IRF7756GTRPBFTR

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