| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 7A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 17 nC @ 5 V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - | FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Tc） | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
【International Rectifier】IRF7807D2TRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807TRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807V,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD1,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD1PBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD1TR,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
