| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | FET 特点 | 二极管（隔离式） |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 25 毫欧 @ 7A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRF7807VD1 |
【International Rectifier】IRF7807VD1PBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD1TR,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD1TRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD2,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD2PBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD2TR,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD2TRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VPBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC