| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 18.2 mOhms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 3.1 ns |
| 栅极电荷 Qg | 7.2 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.5 W | 上升时间 | 6.2 ns |
| 工厂包装数量 | 95 | 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
【International Rectifier】IRF7807ZTR,MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807ZTRPBF,MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7809ATR,MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7809AV,MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7809AVPBF,MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7809AVTRPBF,MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC