描述 | MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 28V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 10 毫欧 @ 11A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1760pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 | 其它名称 | *IRF7811A |
【International Rectifier】IRF7811APBF,MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811ATR,MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811ATRPBF,MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811AV,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811AVPBF,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811AVTR,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811AVTRPBF,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC