描述 | MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 15A, 4.5V | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.8A | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 5V | 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1801pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 | 其它名称 | *IRF7811AV |
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【International Rectifier】IRF7811AVPBF,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811AVTR,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811AVTRPBF,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811TR,MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811W,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811WGTRPBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
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