描述 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 14A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 12 毫欧 @ 15A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2335pF @ 16V |
功率 - 最大 | 3.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7811WTR,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811WTRPBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7815PBF,MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7815TRPBF,MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7821GTRPBF,MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7821PBF,MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC