| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 12 毫欧 @ 15A, 4.5V | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 14A | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 5V | 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2335pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 3.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRF7811W Q1057779 |
【International Rectifier】IRF7811WGTRPBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811WPBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811WTR,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811WTRPBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7815PBF,MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7815TRPBF,MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
