描述 | MOSFET N-CH 30V 13.6A SO-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 12.5 毫欧 @ 10A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1010pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7828TRPBF-NDIRF7828TRPBFTR |
【International Rectifier】IRF7831PBF,MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7831TR,MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7831TRPBF,MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7832PBF,MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7832TR,MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7832TRPBF,MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7832Z,MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7832ZTR,MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC