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IRF7831TR

描述MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.6 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds6240pF @ 15V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)

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