| 描述 | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.5 毫欧 @ 19A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.25V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 44nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3710pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7834TR,MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7834TRPBF,MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7842PBF,MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7842TR,MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7842TRPBF,MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7853PBF,MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7853TRPBF,MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7854PBF,MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC