描述 | MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 5 毫欧 @ 17A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.25V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4500pF @ 20V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7842PBFTR |
【International Rectifier】IRF7853PBF,MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7853TRPBF,MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7854PBF,MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7854TRPBF,MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7855PBF,MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7855TRPBF,MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7862PBF,MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7862TRPBF,MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC