描述 | MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC | FET 特点 | 标准型 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13.4 毫欧 @ 10A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.9V @ 100?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 41nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1620pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on) 和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v ...
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on) 和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v ...
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。”这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构 ...
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构作了优化。8 ...
(电子市场网讯) 全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on) 和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器,提升整体系统效率达1% ...
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on) 和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v i ...
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc ...
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【International Rectifier】IRF7854TRPBF,MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7855PBF,MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
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