描述 | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 21A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3.7 毫欧 @ 20A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.35V @ 100?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 45nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4090pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7862TRPBFTR |
【International Rectifier】IRF7901D1,MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7901D1TR,MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7901D1TRPBF,MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7902PBF,MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7902TRPBF,MOSFET DUAL N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7904PBF,MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7904TRPBF,MOSFET DUAL N-CH 30V 7.6A 8-SOIC