描述 | MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 个 N 通道(半桥) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.6A,11A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 16.2 毫欧 @ 7.6A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 25μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 11nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 910pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.4W,2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
【International Rectifier】IRF7905PBF,MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7905TRPBF,MOSFET DUAL N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7907PBF,MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7907TRPBF,MOSFET DUAL N-CH 30V 9.1A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7910PBF,MOSFET N-CH 12V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7910TRPBF,MOSFET DUAL N-CH 12V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7946TR1PBF,MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
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