描述 | MOSFET N-CH 12V 10A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 15 毫欧 @ 8A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1730pF @ 6V |
功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7910TRPBF,MOSFET DUAL N-CH 12V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7946TR1PBF,MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
【International Rectifier】IRF7946TRPBF,MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
【International Rectifier】IRF8010PBF,MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
【International Rectifier】IRF8010SPBF,MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
【International Rectifier】IRF8010STRLPBF,MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
【International Rectifier】IRF8010STRRPBF,MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK