| 封装类型 | TO-262 | 引脚数目 | 3 |
|---|---|---|---|
| 最低工作温度 | -55 °C | 最大功率耗散 | 260000 mW |
| 最大栅源电压 | ±20 V | 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大漏源电阻值 | 0.015 | 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 最高工作温度 | +175 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
| 通道类型 | N | 配置 | 单 |
| 高度 | 10.54mm |
【International Rectifier】IRF8010PBF,MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
【International Rectifier】IRF8010SPBF,MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
【International Rectifier】IRF8010STRLPBF,MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
【International Rectifier】IRF8010STRRPBF,MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
【International Rectifier】IRF8113,MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8113GPBF,MOSFET N-CH 30V 17.2A SO-8
【International Rectifier】IRF8113GTRPBF,MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8113PBF,MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC