描述 | MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 18 毫欧 @ 8.3A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.9V @ 100?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 39nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1640pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 配用 | IRAC1166-100W-ND - BOARD DEMO 100W FOR IR1166 |
其它名称 | IRF7853TRPBF-NDIRF7853TRPBFTR |
【International Rectifier】IRF7854PBF,MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7854TRPBF,MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7855PBF,MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7855TRPBF,MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7862PBF,MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7862TRPBF,MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7901D1,MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7901D1TR,MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC