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IRF7842TR

描述MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 17A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 20V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)

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