| 描述 | MOSFET N-CH 25V 25A 8SO | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.7 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 53 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5305 pF @ 13 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
【Fairchild Semiconductor】IRF830_R4943,MOSFET TO-220AB N-Ch Power
【International Rectifier】IRF8302MTR1PBF,MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
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【International Rectifier】IRF8304MTR1PBF,MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
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【International Rectifier】IRF8306MTR1PBF,MOSFET N CH 30V 23A DFN3X3EP
