| 描述 | MOSFET | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.4 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.55V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 11nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 960pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
【International Rectifier】IRF8915,MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8915PBF,MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8915TR,MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8915TRPBF,MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9204PBF,MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
【International Rectifier】IRF9310PBF,MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
