| 描述 | MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Ta），160A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.9 毫欧 @ 22A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 150μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 130 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7305 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta），113W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DIRECTFET? MX |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 MX |
【International Rectifier】IRF9388PBF,MOSFET P-CH 30V 12A SO-8
【International Rectifier】IRF9388TRPBF,MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9392PBF,MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
【International Rectifier】IRF9392TRPBF,MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
【International Rectifier】IRF9393PBF,MOSFET P-CH 30V 9.2A SO-8
【International Rectifier】IRF9393TRPBF,MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC