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IRF9952

描述MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A,2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 2.2A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds190pF @ 15V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装管件其它名称*IRF9952

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