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  • IRFBE20STRR

IRFBE20STRR

  • 制造商:-
  • 数据列表:IRFBE20
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-

参考价格

  • 数量单价
  • 800$1.1655
产品属性
描述MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 欧姆 @ 1.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds530pF @ 25V功率 - 最大54W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR)

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