| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 欧姆 @ 840mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 500pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 54W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRFBG20PBF |
ic工艺是把晶体管、二极管、电阻器、电容器和其他组件用相应的工艺方式制作在小块的硅、玻璃或陶瓷基板上的过程。进行适当的连接，然后封装管壳，整个电路的体积大大降低了。因此，引出线和焊接点的数量在其影响下，也不断减少。在20世纪50年代末和60年代初，使用的硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现整合的设想。根据工艺的过程方法，分别是以硅平面工艺，薄膜技术，丝网印刷厚膜为基础的ic。 看过本文还可查阅：pnx8300hl/c1/31价格 irfbg20pbf 售价 ...
