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IRFD113

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 封装:Tube
  • 工厂包装数量:2500

参考价格

  • 数量单价
  • 1320¥10.01
  • 2500¥8.97
  • 5000¥8.63
  • 7500¥8.14
  • 10000¥7.59
产品属性
描述MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

“IRFD113”技术资料

  • 单端A类放大器及场效应管(3)

    ,在低偏置时具有严重的非线性,带来严重的失真,解决的办法是让其工作在a 类状态,单端a 类,回归自然!瞬态特性极佳,音质纯美,偶次谐波丰富,音色悦耳动听,具有电子管的醇美音色。 单端a 类场效应管功放电路五花八门,各有特色。 这里给出一个电路实例,如图1 所示,以简洁至上为原则,以下给出具体的设计思路。 图1 11 w场效应管单端a类功放电路图。 (1) 为了避免普通音量电位器传输失真、非稳态接触电阻、磨擦噪声和操作易感疲惫之嫌,本机采用音响型极低噪声v-mos 场效应管irfd113 作指触音量控制,相对于键控音量电路又减少了一些元件,并加以屏蔽,使音量控制部分的噪声系数达到1 db 以下(v-mos 场效应管噪声系数在0.5 db 左右), 敢与高档真空步进电位器或无源变压器电位器抗衡,手感更贴切人性化。 v-mos 场效应管内阻高, 属电压控制器件, 在栅极及源极之间接充电电容,由于栅漏电流极小,电容电压在很长一段时间内能基本保持不变, 当管子工作于可调电阻区时,其漏源极电阻将受到栅源极电压即电容的电压所控制,这时管子相当于压控可变电阻,当指触( 依手指电阻导电) ...

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