| 描述 | MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.6 欧姆 @ 300mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 15V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 供应商设备封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装 | 管件 |
