| 描述 | MOSFET P-CH 200V 400MA 4-DIP | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 400mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 240mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V | 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFD9210 |
ms时导通；在vc等于7．4 v时q2导通，即在q1导通后的330 ms时导通。这样长的时间，足以保证电源需要的稳定时间和使q1与q2缓慢地导通。因为要把启动电流保持在一个最小值，所以fet(场效应管)的缓慢导通是至关重要的。若fet转换太快，有可能产生一个大的浪涌电流，失去软启动电路的效用。 3 注意事项 (1)软启动电路的增加是有代价的。从整体来讲，这种电路可看作是电源的一部分，它要消耗功率，使电源的效率降低。大部分功率损失是由于输出传递场效应管q2的导通电阻不为零所造成的。这种irfd9210的导通电阻为0．6 ω。在500 ma输出电流时，q2将消耗300 mw功率。如果不允许这样大的损耗时，可以采用导通电阻更小的fet(但往往价格很高)。 (2)因为开关电源电压的感测是取自场效应管q2的输入端，所以这种穿过q2的电阻也影响负载电压的稳定。只要负载电流是相对恒定的，这个问题并不严重。如果输出电压的变化较大，可以选用导通电阻低的fet来改善，也可以在软启动电路工作完成以后，在q2的输出端加一个电压感测电路来改善。 4 结论 以上详细论述了“软启动电路”是如何消除开关 ...
ms时导通；在vc等于7．4 v时q2导通，即在q1导通后的330 ms时导通。这样长的时间，足以保证电源需要的稳定时间和使q1与q2缓慢地导通。因为要把启动电流保持在一个最小值，所以fet(场效应管)的缓慢导通是至关重要的。若fet转换太快，有可能产生一个大的浪涌电流，失去软启动电路的效用。 3 注意事项 (1)软启动电路的增加是有代价的。从整体来讲，这种电路可看作是电源的一部分，它要消耗功率，使电源的效率降低。大部分功率损失是由于输出传递场效应管q2的导通电阻不为零所造成的。这种irfd9210的导通电阻为0．6 ω。在500 ma输出电流时，q2将消耗300 mw功率。如果不允许这样大的损耗时，可以采用导通电阻更小的fet(但往往价格很高)。 (2)因为开关电源电压的感测是取自场效应管q2的输入端，所以这种穿过q2的电阻也影响负载电压的稳定。只要负载电流是相对恒定的，这个问题并不严重。如果输出电压的变化较大，可以选用导通电阻低的fet来改善，也可以在软启动电路工作完成以后，在q2的输出端加一个电压感测电路来改善。 4 结论 以上详细论述了“软启动电路”是如何消除开关 ...
