描述 | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 21A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.1 毫欧 @ 50A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 150?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 4175pF @ 30V | 功率 - 最大 | 3.6W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
供应商设备封装 | PQFN(5x6) | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | IRFH5006TR2PBFTR |
【International Rectifier】IRFH5006TRPBF,MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN
【International Rectifier】IRFH5007TR2PBF,MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5007TRPBF,MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5010TR2PBF,MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5010TRPBF,MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
【International Rectifier】IRFH5015TR2PBF,MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
【International Rectifier】IRFH5015TRPBF,MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
【International Rectifier】IRFH5020TR2PBF,MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN