| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.1 毫欧 @ 50A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 150?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4175pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 3.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN | 供应商设备封装 | PQFN（5x6） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRFH5007TR2PBF,MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5007TRPBF,MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5010TR2PBF,MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5010TRPBF,MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
【International Rectifier】IRFH5015TR2PBF,MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
【International Rectifier】IRFH5015TRPBF,MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
【International Rectifier】IRFH5020TR2PBF,MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
【International Rectifier】IRFH5020TRPBF,MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN