| 描述 | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 55 毫欧 @ 7.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 150?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 54nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2290pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 3.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN | 供应商设备封装 | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRFH5025TR2PBF,MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
【International Rectifier】IRFH5025TRPBF,MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56
【International Rectifier】IRFH5053TR2PBF,MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
【International Rectifier】IRFH5053TRPBF,MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
【International Rectifier】IRFH5104TR2PBF,MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
【International Rectifier】IRFH5104TRPBF,MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
【International Rectifier】IRFH5106TR2PBF,MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5106TRPBF,MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN