| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8PQFN | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.3A（Ta），34A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16.4 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 50μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 733 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），37W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
【International Rectifier】IRFHM792TR2PBF,MOSFET N CH DUAL 100V 2.3A PQFN
【International Rectifier】IRFHM830DTR2PBF,MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
【International Rectifier】IRFHM830DTRPBF,MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
【International Rectifier】IRFHM830TR2PBF,MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
【International Rectifier】IRFHM830TRPBF,MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
