| 描述 | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 25V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 13 毫欧 @ 8.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.35V @ 25?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10.4nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 653pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VQFN | 供应商设备封装 | 6-PQFN（2x2） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRFHS8342TR2PBF,MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
【International Rectifier】IRFHS8342TRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
【International Rectifier】IRFHS9301TR2PBF,MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
【International Rectifier】IRFHS9301TRPBF,MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
【International Rectifier】IRFHS9351TR2PBF,MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
【International Rectifier】IRFHS9351TRPBF,MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
【International Rectifier】IRFI1010NPBF,MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
【International Rectifier】IRFI1310N,MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP