您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > irfs830b

IRFS830B

描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)1.16 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220F
封装Tube下降时间45 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散38 W
上升时间40 ns工厂包装数量50
典型关闭延迟时间85 ns

irfs830b的相关型号: