描述 | MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 5.6A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 560pF @ 25V |
功率 - 最大 | 86W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB | 供应商设备封装 | I-Pak |
包装 | 管件 | 其它名称 | *IRFU9N20D |
【International Rectifier】IRFU9N20DPBF,MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
【Fairchild Semiconductor】IRFW520ATM,MOSFET 100V N-Channel A-FET
【Fairchild Semiconductor】IRFW530ATM,MOSFET 100V N-Channel A-FET
【Fairchild Semiconductor】IRFW540ATM,MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】IRFW550ATM,MOSFET 100V N-Channel A-FET