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IRFU9N20D

描述MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 5.6A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds560pF @ 25V
功率 - 最大86W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB供应商设备封装I-Pak
包装管件其它名称*IRFU9N20D

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