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IRFW530ATM

描述MOSFET 100V N-Channel A-FET漏极连续电流14 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.11 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-263封装Reel
下降时间36 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)10.25
最小工作温度- 55 C功率耗散55 W
上升时间14 ns工厂包装数量800
典型关闭延迟时间55 ns

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