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IRFW610BTM_FP001

描述MOSFET 200V N-Ch B-FET漏极连续电流3.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)1.5 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-263封装Reel
下降时间25 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散3.13 W上升时间35 ns
工厂包装数量800典型关闭延迟时间20 ns

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