| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 4.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 720pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.13W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D?PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】IRFW640BTM_FP001,MOSFET 200V N-Ch B-FET
【Fairchild Semiconductor】IRFW650BTM_FP001,MOSFET 200V Single
【Fairchild Semiconductor】IRFW654BTM_FP001,MOSFET 250V Single
【Fairchild Semiconductor】IRFW710BTM,MOSFET 400V N-Channel B-FET
【Fairchild Semiconductor】IRFW720BTM,MOSFET 400V N-Channel B-FET