| 描述 | MOSFET 200V N-Ch B-FET | 漏极连续电流 | 18 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.145 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-263 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 110 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 3.13 W | 上升时间 | 145 ns |
| 工厂包装数量 | 800 | 典型关闭延迟时间 | 145 ns |
【Fairchild Semiconductor】IRFW650BTM_FP001,MOSFET 200V Single
【Fairchild Semiconductor】IRFW654BTM_FP001,MOSFET 250V Single
【Fairchild Semiconductor】IRFW710BTM,MOSFET 400V N-Channel B-FET
【Fairchild Semiconductor】IRFW720BTM,MOSFET 400V N-Channel B-FET
【Fairchild Semiconductor】IRFW740BTM,MOSFET 400V N-Channel B-FET
【Fairchild Semiconductor】IRFW820BTM,MOSFET 500V N-Channel B-FET