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IRFW820BTM

描述MOSFET 500V N-Channel B-FET漏极连续电流2.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)2.6 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体D2PAK封装Reel
下降时间35 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)2.9 S
最小工作温度- 55 C功率耗散3.13 W
上升时间30 ns工厂包装数量750
典型关闭延迟时间40 ns

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