| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 5.4A，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRL6342PBF,MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
【International Rectifier】IRL6342TRPBF,MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
【International Rectifier】IRL6372PBF,MOSFET 2N-CH 30V 8.1A SO8
【International Rectifier】IRL6372TRPBF,MOSFET N-CH DUAL 30V 8.1A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】IRL640A,MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
