描述 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 270 毫欧 @ 780mA,5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | 功率 - 最大 | 1.3W |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商设备封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP | 包装 | 管件 |
其它名称 | *IRLD120PBF |
【International Rectifier】IRLH5030TR2PBF,MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
【International Rectifier】IRLH5030TRPBF,MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
【International Rectifier】IRLH5034TR2PBF,MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRLH5034TRPBF,MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN
【International Rectifier】IRLH5036TR2PBF,MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRLH5036TRPBF,MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN
【International Rectifier】IRLH6224TR2PBF,MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
【International Rectifier】IRLH6224TRPBF,MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6