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  • IRLD120PBF

IRLD120PBF

  • 制造商:-
  • 数据列表:IRLD120PBF
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$0.76
  • 25$0.592
  • 100$0.5157
  • 250$0.44884
  • 500$0.382
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIPFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.3A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 780mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds490pF @ 25V功率 - 最大1.3W
安装类型通孔封装/外壳4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装4-DIP,Hexdip,HVMDIP包装管件
其它名称*IRLD120PBF

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