描述 | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.4 毫欧 @ 50A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 150?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 90nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5360pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVQFN | 供应商设备封装 | PQFN(5x6) |
包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRLH6224TR2PBF,MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
【International Rectifier】IRLH6224TRPBF,MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6
【International Rectifier】IRLH7134TR2PBF,MOSF N CH 40V 26A PQFN 5X6E
【International Rectifier】IRLH7134TRPBF,MOSF N CH 40V 26A PQFN 5X6E
【International Rectifier】IRLHM620TR2PBF,MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
【International Rectifier】IRLHM620TRPBF,MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
【International Rectifier】IRLHM630TR2PBF,MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
【International Rectifier】IRLHM630TRPBF,MOSFET N-CH 30V 21A PQFN