描述 | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 26A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.5 毫欧 @ 20A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.1V @ 50?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 78nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3620pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2.7W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | PQFN(3x3) |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRLHM620TR2PBFTR |
【International Rectifier】IRLHM620TRPBF,MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
【International Rectifier】IRLHM630TR2PBF,MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
【International Rectifier】IRLHM630TRPBF,MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
【International Rectifier】IRLHS2242TR2PBF,MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
【International Rectifier】IRLHS2242TRPBF,MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
【International Rectifier】IRLHS6242TR2PBF,MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
【International Rectifier】IRLHS6242TRPBF,MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
【International Rectifier】IRLHS6276TR2PBF,MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN