| 描述 | MOSFET N-CH 20V 10A PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11.7 毫欧 @ 8.5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.1V @ 10?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1110pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.98W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-PowerVDFN | 供应商设备封装 | 6-PQFN（2x2） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRLHS6276TR2PBF,MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
【International Rectifier】IRLHS6276TRPBF,MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
【International Rectifier】IRLHS6342TR2PBF,MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
【International Rectifier】IRLHS6342TRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
【International Rectifier】IRLHS6376TR2PBF,MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN
【International Rectifier】IRLHS6376TRPBF,MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
【International Rectifier】IRLI2203N,MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
【International Rectifier】IRLI2203NPBF,MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP